サムスン、第2世代「10nm FinFET」プロセスの量産を開始

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韓国サムスンは11月29日(現地時間)、第2世代「10nm FinFET」プロセス技術にあたる「10LPP(Low Power Plus)」の量産を、正式に開始したことを発表しました。

プレスリリースによると、10LPPプロセスは、第1世代プロセス技術である「10LPE(Low Power Early)」比で10%の性能向上、または15%の消費電力削減を実現するほか、初期の生産歩留まりも10LPEプロセスよりも優れているとのことです。

また、10LPPで製造されるSoCを搭載する製品は、来年の早い時期から登場し始め、2018年末までには様々な製品に採用される見通しとされています。

なお、同社は既に先日、この10LPPを基に開発した次世代半導体プロセスとして「8nm FinFET(8LPP)」を発表していますが、残念ながら今回、この次世代プロセスを採用する製品の登場時期については明らかにされませんでした。

[サムスン via Phone Arena]

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